巧妙分离电气通路与散热通路的碳化硅Q

英飞凌CoolSiC MOSFET1200V G2系列产品采用先进的巧妙Q-DPAK顶部冷却封装，针对高功率密度与高温运行场景优化设计，分离适用于电动汽车充电、电气的碳光伏、通路通路UPS、散热固态断路器、化硅工业驱动及AI等领域。巧妙我们现推出IMCQ120R017M2H与IMCQ120R034M2H两款器件免费样品试用活动，分离诚邀工程师、电气的碳研发团队及行业小伙伴们亲身体验！通路通路

为什么选择Q-DPAK封装？散热

Q-DPAK顶部散热封装技术旨在帮助设计师简化制造流程并提高功率密度，其核心理念在于将器件的化硅电气连接（在底部）与热界面（在顶部）分离开来，从而巧妙结合了两种传统封装方式的巧妙优点。

传统的分离TO-247封装虽然能直接安装在散热器上以获得良好的热性能，但其通孔焊接（THT）工艺在PCB生产过程中需要人工处理，电气的碳增加了制造复杂度。而标准的表面贴装技术（SMT）器件（如TO-263-7）虽然支持全自动处理，但热量必须通过导热率有限的PCB板耗散，限制了散热性能。采用绝缘金属衬底（IMS）虽能改善导热，却又会增加成本和设计复杂性。

CoolSiC Q-DPAK顶部散热封装则提供了“两全其美”的解决方案：它既保留了SMT技术所带来的全自动制造效率，又能实现媲美媲美甚至超越标准TO-247封装的热性能，通过器件顶部的专用散热面直接连接高效散热器，热量得以快速耗散，从而显著降低器件结温，提升系统可靠性。

Q-DPAK顶部散热设计支持更优化的PCB布局，这不仅减少了寄生参数和杂散电感的影响，从而降低了开关损耗和导通损耗，还允许在标准PCB的两面布置元器件，使得整体系统设计更加紧凑和简易。结合其卓越的散热能力，设计师能够在更小的空间内处理更大的功率，最终实现更高的功率密度。

产品速览

CoolSiC 1200V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同时，实现更高性能、更紧凑的设计

产品特点：

■SMD顶部散热封装

■杂散电感低

■CoolSiC MOSFET 1200V G2技术具备优化的开关性能和FOM

■.XT扩散焊

■最低RDS(on)

■封装材料CTI>600, CD>4.8mm

■优异的耐湿性能

■雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

应用价值：

■更高功率密度

■支持自动化组装

■简化设计

■优异的热性能表现

■降低系统损耗

■支持950V RMS工作电压

■卓越的可靠性

■降低TCO成本和BOM成本

(责任编辑：焦点)